[发明专利]一种半导体氮化碳薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体氮化碳薄膜的制备及转移方法，以三聚氰胺作为前驱体，通过化学气相沉积工艺，在多种基底材料表面制备半导体氮化碳薄膜或氮化碳/碳复合薄膜，其制备工艺简单，原料成本低，制备的氮化碳薄膜容易转移到任意基底材料表面；所制备的薄膜连续性好，厚度均匀，在光电探测器中显示出极快的响应速度，在电催化析氢反应中显示出较高催化活性；此外，这种氮化碳薄膜可用于构建柔性半导体器件(如发光二极管，太阳能电池)，储能器件(如锂离子电池，钠离子电池，燃料电池)和催化电极等。

主权项

一种半导体氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在容积一定的坩埚中，放置一定量的三聚氰胺，将基底材料或表面已生长有碳膜的基底材料置于坩埚中央，于三聚氰胺上方，盖上坩埚盖密封；(2)将(1)中密封的坩埚放置于管式炉内，于惰性气氛中以一定速率加热至200–900℃，并保温5min–24h，之后随炉冷却至室温，在基底材料上直接生长有一定厚度的氮化碳薄膜，或是得到氮化碳/碳膜的复合薄膜，进行后续表征、测试及应用。