[发明专利]一种自对准STI的制备方法

摘要

本发明公开了一种自对准STI的制备方法，通过采用炉管LPCVD工艺在浅沟槽内壁氧化层上再生长一层一定厚度且厚度均匀的多晶硅侧壁层，能够有效的防止水汽退火中的水汽消耗衬底硅和多晶硅浮栅硅，使隧穿氧化硅层的边缘厚度不改变，保证了隧穿氧化硅层的质量，进而提高了产品的可靠性。

主权项

1.一种自对准STI的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，并在该半导体衬底上依次生长隧穿氧化硅层、多晶硅浮栅层和氮化硅层；步骤S02：通过光刻工艺形成掩模图形，并依次刻蚀氮化硅层、多晶硅浮栅层、隧穿氧化硅层以及硅衬底，形成深至硅衬底中的浅沟槽；步骤S03：在浅沟槽内壁表面生长氧化层；步骤S04：通入SiH4气体或Si2H6气体，采用炉管LPCVD工艺在上述浅沟槽结构表面再生长一层多晶硅侧壁层，当通入SiH4气体时，发生热分解反应，在侧壁氧化层表面生长或淀积多晶硅，反应如下：SiH4→SiH2+H2SiH4+SiH2→Si2H6Si2H6→2Si+3H2当通入Si2H6气体时，反应如下：Si2H6→2Si+3H2；步骤S05：对浅沟槽进行填充，并退火。