[发明专利]SiC单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201610367969.1 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106337205B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 白井嵩幸 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B11/00 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。本发明提供具有低于以往的电阻率的p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：作为Si‑C溶液，使用包含Si、Cr和Al，且以Si、Cr和Al的合计量为基准包含3at％以上的Al的Si‑C溶液，和使SiC晶种基板的(0001)面与Si‑C溶液接触，使SiC单晶从(0001)面生长。 | ||
| 搜索关键词： | sic 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：/n作为所述Si-C溶液，使用包含Si、Cr和Al，且以所述Si、Cr和Al的合计量为基准包含7at％以上的所述Al的Si-C溶液，/n将所述Si-C溶液的表面温度设为1800～2000℃，和/n使所述SiC晶种基板的(0001)面与所述Si-C溶液接触，以所述晶种基板的(0001)面的位置相对于所述Si-C溶液面位于上方1～3mm的方式形成弯液面并保持，一边使SiC单晶从所述(0001)面生长，/n所述生长的SiC单晶是具有2.0×10
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