[发明专利]一种显示装置、阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201610368409.8 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN105977262B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 周志超;夏慧 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种显示装置、阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括:基底以及设置在基底上的两个栅极、源极、漏极、有源层以及像素电极,其中,漏极与像素电极连接,源极和漏极分别与有源层接触,两个栅极用于控制有源层的导通和截止,从而控制源极和漏极之间的连通和断开。通过上述方式,本发明能够有效防止阈值电压的变动。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示装置 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:基底;层叠地设置在所述基底上的源极、有源层以及漏极,其中,所述源极设置在所述基底上,所述有源层设置在所述源极上,所述漏极设置在所述有源层上;两个栅极,所述两个栅极分别设置在所述有源层两侧,用于控制所述有源层的导通和截止,从而控制所述源极和漏极之间的连通和断开;像素电极,与所述漏极电极连接,并且所述漏极与所述像素电极同层设置;所述阵列基板还包括缓冲层,设置在所述基底上,所述缓冲层中设置有缓冲通孔,所述缓冲通孔露出所述基底,所述源极设置在所述缓冲通孔上,并与所述缓冲层的表面齐平;所述阵列基板还包括钝化层,设置在所述缓冲层和所述源极上,所述钝化层中设置有钝化通孔,所述钝化通孔露出所述源极,所述两个栅极分别设置在所述钝化层上,并位于所述钝化通孔的两侧,在形成所述栅极时形成于所述钝化通孔的栅极金属与所述源极接触,且所述形成于所述钝化通孔的栅极金属与所述钝化层的表面齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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