[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法

摘要

本发明提供一种阵列基板，其包括基板、设置于基板上的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括依次设置于基板上的缓冲层、栅极、栅极绝缘层，该第一薄膜晶体管还包括形成于栅极绝缘层上且彼此间隔的源极与漏极，以及对应该栅极形成于栅极绝缘层上的金属氧化物半导体层，该金属氧化物半导体层分别部分覆盖所述源极与漏极。本发明还提供应用该阵列基板的显示面板、显示装置及该阵列基板的制备方法。本发明阵列基板之金属氧化物半导体层在源极、漏极形成之后沉积形成，可避免制备过程中对该金属氧化物半导体层的损害。

主权项

1.一种阵列基板，其包括基板、设置于基板上的开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管与多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：该开关薄膜晶体管与该驱动薄膜晶体管均为金属氧化物薄膜晶体管，该开关薄膜晶体管包括依次设置于基板上的缓冲层、栅极、栅极绝缘层，该开关薄膜晶体管还包括形成于栅极绝缘层上且彼此间隔的源极与漏极，以及对应该栅极形成于栅极绝缘层上的金属氧化物半导体层，该开关薄膜晶体管的该金属氧化物半导体层分别部分覆盖该开关薄膜晶体管的所述源极与漏极；该驱动薄膜晶体管包括依次设置于基板上的缓冲层、栅极、栅极绝缘层，该驱动薄膜晶体管还包括形成于栅极绝缘层上且彼此间隔的源极与漏极，以及对应该栅极形成于栅极绝缘层上的金属氧化物半导体层，该驱动薄膜晶体管的金属氧化物半导体层分别部分覆盖该驱动薄膜晶体管的所述源极与漏极；该多晶硅薄膜晶体管包括依次设置于基板上的多晶硅半导体层、缓冲层、栅极、以及栅极绝缘层。/n