[发明专利]一种无电阻无运放带隙基准电压源

摘要

本发明涉及一种无电阻无运放结构的带隙基准电压源电路。本发明的带隙基准电压源电路包括BJT管和MOS管。BJT的PN结电压具有负温度系数特性，MOS管的源漏端电压随温度成正比例关系为正温度系数电压。将PN结电压按比例缩小与源漏端电压根据不同的权重加和得到一个不随温度变化的基准输出电压。本发明省去了传统带隙基准电压源电路中的运算放大器和电阻网络实现了低电压和小的版图面积，处于亚阈值状态的MOS管具有较小的漏电流实现低功耗。本发明具有高精度、结构简单、实用性强的特点。

主权项

一种无电阻无运放带隙基准电压源包括BJT管和MOS管，其特征是：所述无电阻无运放带隙基准电压源的电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第一BJT管；所述第一PMOS管的栅极分别连接第二PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极和第五PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的漏极分别连接第一BJT管的发射极、第二NMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极；所述第二PMOS管的栅极分别与自身的漏极和第三NMOS管的漏极相连；所述第五NMOS管的漏极与自身的栅极、第四NMOS管的栅极以及第三PMOS管的漏极相连；所述第七NMOS管的漏极与自身的栅极、第六NMOS管的栅极和第四PMOS管的漏极相连；第一NMOS管的栅极与自身的漏极以及第二NMOS管的源极相连；所述第二NMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极和第四NMOS管的源极相连；所述第四NMOS管的漏极与第五NMOS管的漏极和第六NMOS管的源极相连；所述第六NMOS管的漏极与第七NMOS管的漏极和第五PMOS管的漏极相连；所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极、第五PMOS管的源极分别接无电阻无运放带隙基准电压源电压VDD；所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极、第五NMOS管的源极、第六NMOS管的源极、第七NMOS管的源极以及第一BJT管基极与集电极分别连接电源地端。