[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201610369425.9 | 申请日: | 2016-05-30 |
公开(公告)号: | CN106206838B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 许美姬;梁周弘;郑寅道;李恩珠 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤在半导体基板的一个表面上方形成隧道层;在所述隧道层上方形成半导体层;在所述半导体层中形成包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域的导电区域;以及形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极。形成所述导电区域的步骤包括以下步骤在所述半导体层上方形成掩模层;利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口;以及利用所述掺杂开口来执行掺杂。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:在半导体基板的一个表面上方形成隧道层;在所述隧道层上方形成半导体层;在所述半导体层中形成导电区域,该导电区域包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域;以及形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极,其中,形成所述导电区域的步骤包括以下步骤:在所述半导体层上方形成掩模层;利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口;以及利用所述掺杂开口来执行掺杂,其中,在形成所述掺杂开口时在所述半导体层中做出标记,并且其中,所述标记包括沿着所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个的纵向延伸的边缘而形成的外标记。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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