[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610369425.9 申请日: 2016-05-30
公开(公告)号: CN106206838B 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 许美姬;梁周弘;郑寅道;李恩珠 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤在半导体基板的一个表面上方形成隧道层;在所述隧道层上方形成半导体层;在所述半导体层中形成包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域的导电区域;以及形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极。形成所述导电区域的步骤包括以下步骤在所述半导体层上方形成掩模层;利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口;以及利用所述掺杂开口来执行掺杂。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:在半导体基板的一个表面上方形成隧道层;在所述隧道层上方形成半导体层;在所述半导体层中形成导电区域,该导电区域包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域;以及形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极,其中,形成所述导电区域的步骤包括以下步骤:在所述半导体层上方形成掩模层;利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口;以及利用所述掺杂开口来执行掺杂,其中,在形成所述掺杂开口时在所述半导体层中做出标记,并且其中,所述标记包括沿着所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个的纵向延伸的边缘而形成的外标记。
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