[发明专利]一种静电夹具有效
申请号: | 201610369563.7 | 申请日: | 2016-05-30 |
公开(公告)号: | CN106024691B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 李岩;齐佳 | 申请(专利权)人: | 李岩 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人: | 齐胜杰 |
地址: | 100120 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种静电夹具,其由下至上依次包括基底层、第一绝缘层、电极层、第二绝缘层、介电层,各层级之间通过粘膜层连接,所述电极层内形成电极,所述介电层上设有多个凸节,各凸节外包覆有第一导体膜和第二导体膜。本发明提供的静电夹具,固持有力、结构稳定,同时能够避免漏电。 | ||
搜索关键词: | 静电 夹具 | ||
【主权项】:
1.一种静电夹具,其特征在于:所述静电夹具由下至上依次包括基底层、第一绝缘层、电极层、第二绝缘层、介电层,各层级之间通过粘膜层连接,所述电极层内形成电极,所述介电层上设有多个凸节,各凸节外包覆有第一膜和第二膜,其中,所述基底层的材质为氯丁橡胶,厚度介于10‑20微米;所述第一绝缘层的材质为装置陶瓷,厚度介于4‑10微米;所述第二绝缘层的材质为绝缘玻璃,厚度介于6‑10微米;所述电极层的材质为铜金属,厚度介于6‑12微米;所述介电层的材质为氧化钛,厚度介于1‑6微米;各粘膜层的材质为硅胶,厚度介于0.2‑0.8微米;所述第一膜的材质为氧化铝,厚度介于0.5‑0.8微米;所述第二膜的材质为金属镍,厚度介于0.5‑0.8微米;所述凸节的材质为氧化钛,其直径介于1‑3微米,厚度介于4‑7微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李岩,未经李岩许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610369563.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:猪血木栽培苗快速繁育方法
- 下一篇:一种早脆王枣的组培快繁方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造