[发明专利]一种硫化锑/硅叠层太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610369963.8 申请日: 2016-05-30
公开(公告)号: CN105810772B 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 刘芳洋;陈鑫;蒋良兴 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H01L31/078 分类号: H01L31/078;H01L31/18
代理公司: 长沙市融智专利事务所43114 代理人: 魏娟
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种硫化锑/硅叠层太阳电池及其制备方法,硫化锑/硅叠层太阳电池包括晶硅底电池、硫化锑薄膜顶电池以及中间复合连接结构层;所述复合连接结构层由下至上包括二氧化硅钝化层、透明导电氧化物TCO层和高功函数过渡金属氧化物层,二氧化硅钝化层中包含金属纳米颗粒阵列。其制备方法是,先在晶硅太阳电池表面依次制备金属纳米颗粒阵列、二氧化硅钝化层、透明导电氧化物TCO层及过渡金属氧化物层;再在所述过渡金属氧化物层表面制备硫化锑薄膜太阳电池,该方法材耗少,成本低,且可利用现有成熟工艺及设备进生产,有利于生产技术的推广应用。
搜索关键词: 一种 硫化锑 硅叠层 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种硫化锑/硅叠层太阳电池,其特征在于:包括晶硅底电池、硫化锑薄膜顶电池以及中间复合连接结构层;所述中间复合连接结构层由下至上包括二氧化硅钝化层和高功函数过渡金属氧化物层;所述二氧化硅钝化层中包含金属纳米颗粒阵列。
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