[发明专利]一种光刻机的晶圆承载吸附压力优化方法

摘要

本发明公开了一种光刻机的晶圆承载吸附压力优化方法，包括在掩模版第一、第二图案区的第一、第二图形单元形成位置对应的第一、第二套刻标记；在测试晶圆上形成第一套刻标记层；在测试晶圆上形成第二套刻标记层图案；测量第一、第二套刻标记的中心偏移量，计算出第一晶圆套刻残留值；在测试晶圆上再次形成第二套刻标记层图案，并计算出第二晶圆套刻残留值；重复形成第二套刻标记层图案，得到不同晶圆承载吸附压力与晶圆套刻残留值之间的对应关系。通过本发明可找到晶圆套刻精度满足光刻工艺要求时的最佳的晶圆承载吸附压力，从而达到优化晶圆承载吸附压力的有益效果，有效解决了真空形变造成的晶圆套刻精度问题。

主权项

一种光刻机的晶圆承载吸附压力优化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一掩模版，所述掩模版包含两个尺寸相同的第一、第二图案区，所述第一、第二图案区分别包含若干第一、第二图形单元，所述第一、第二图形单元的数量、尺寸相同，并在第一、第二图案区的位置相一一对应，所述第一图形单元含有第一套刻标记，所述第二图形单元的对应位置含有第二套刻标记，所述第一、第二套刻标记的图案中心相对应；步骤S02：提供一测试晶圆，在所述测试晶圆表面沉积第一介质涂层，然后，利用所述掩模版的第一图案区，在所述测试晶圆上形成第一套刻标记层；步骤S03：在所述第一套刻标记层上沉积第二介质涂层，然后，调节设定光刻机的第一晶圆承载吸附压力，并经过光刻胶涂胶、曝光和显影工艺，将所述掩模版第二图案区的第二套刻标记图案转移到测试晶圆上；步骤S04：对测试晶圆上第二套刻标记相对第一套刻标记的中心偏移量进行测量，并计算出第一晶圆套刻残留值；步骤S05：去除测试晶圆上第二图案区层的光刻胶，然后，调节设定光刻机的第二晶圆承载吸附压力，并经过光刻胶涂胶、曝光和显影工艺，再次形成第二套刻标记层图案，量取测试晶圆上第二套刻标记相对第一套刻标记的中心偏移量，并计算出第二晶圆套刻残留值；步骤S06：重复执行步骤S05，以得到不同晶圆承载吸附压力与晶圆套刻残留值之间的对应关系，并从中选取满足光刻工艺要求的晶圆套刻精度所对应的最佳晶圆承载吸附压力。