[发明专利]一种二维纳米硫化钼片层/二元氧化物叠层结构阻变器件在审
| 申请号： | 201610370598.2 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106025065A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;李悦;冯玉林;王芳;方明旭;唐登轩;苗银萍;马峻 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种二维纳米硫化钼片层/二元氧化物叠层结构阻变器件及其制备方法，提供了一种新型阻变器件由下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层由二维纳米硫化钼片层和二元氧化物叠层结构构成。本发明利用插入的二维纳米硫化钼片层与二元氧化物叠层结构作为阻变功能层，在保持单独二元氧化物阻变器件的优良性能的同时，调节了氧空位导电细丝的形成和断裂；同时在set过程中抑制了过度氧空位的产生提高了低阻态的电阻值，降低了器件的reset电流。与单独二元氧化物阻变器件相比，本发明中的阻变器件表现出了更好的一致性和更低的功耗。进一步丰富了二维纳米硫化钼片层的应用领域，为进一步提高阻变器件的性能提供了新的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 纳米 硫化 钼片层 二元 氧化物 结构 器件 | ||
【主权项】：
一种二维纳米硫化钼片层/二元氧化物叠层结构阻变器件，其特征在于：由Si/SiO2衬底、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为二元氧化物和二维纳米硫化钼片层的叠层结构，各层的厚度分别为下电极50‑200nm、二元氧化物1‑50nm、二维纳米硫化钼片层为单层或多层1‑10nm、上电极50‑200nm。
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