[发明专利]一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法有效
| 申请号： | 201610370667.X | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN107452874B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，步骤如下：S1.提供具有MTJ多层膜结构的基底；S2.在基底上依次形成钌膜层、硬碳膜层和抗反射层；S3.采用与MTJ相反的图案进行图案化定义；S4.对定义好的MTJ相反图案进行修剪，并对抗反射层和硬碳膜层进行刻蚀，将MTJ相反图案转移到硬碳膜层；S5.沉积一层钽膜层在MTJ相反图案化的碳膜层上；S6.对钽膜层进行回刻，直到抗反射层完全被刻蚀掉；S7.采用氧气干刻工艺除去硬碳膜层，以形成刻蚀MTJ的钽掩模。本发明的方法有利于MTJ单元的小型化，降低了MRAM电路位线和MTJ单元短路的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 对准 钽掩模 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供具有磁性隧道结多层膜结构的基底；步骤S2：在所述基底上依次形成钌膜层、硬碳膜层和抗反射层；步骤S3：采用与磁性隧道结相反的图案进行图案化定义，得到磁性隧道结相反图案；步骤S4：对所述磁性隧道结相反图案进行修剪，并对所述抗反射层和所述硬碳膜层进行刻蚀，将所述磁性隧道结相反图案转移到所述硬碳膜层；步骤S5：沉积一层钽膜层在完成磁性隧道结相反图案的图案化的所述硬碳膜层上；步骤S6：对所述钽膜层进行回刻，直到所述抗反射层完全被刻蚀掉；步骤S7：除去所述硬碳膜层以形成刻蚀磁性隧道结的钽掩模。
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