[发明专利]用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201610370767.2 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105870157B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 周星宇;曾维静 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法，该凹槽结构位于基板(1)上，包括堤坝(2)、及由堤坝(2)围拢成的凹槽(3)，所述堤坝(2)包括至少两层层叠设置的分支堤坝层(21)，所述分支堤坝层(21)的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层(21)的材料不同，最上层的分支堤坝层(21)的材料为氧化硅，其中，采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面为疏水性表面，而采用氮化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽的倾斜内周面为亲水性表面，能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 打印 凹槽 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于打印成膜的凹槽结构，其特征在于，该凹槽结构位于基板(1)上，包括堤坝(2)、及由堤坝(2)围拢成的凹槽(3)；所述堤坝(2)包括至少两层层叠设置的分支堤坝层(21)；所述分支堤坝层(21)的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层(21)的材料不同，最上层的分支堤坝层(21)的材料为氧化硅；采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面为疏水性表面；采用氮化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面为亲水性表面；采用氧化硅材料制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面覆盖有单分子硅烷基试剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610370767.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：管道线路路径标识喷涂模具
- 下一篇：一种门护板上安装孔的装配治具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
