[发明专利]一种基于掺杂硅烯的MEMS压阻式压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201610371195.X | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105841852B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 汪学方;占善男 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于掺杂硅烯的MEMS压阻式压力传感器及其制造方法。一种基于表面硅加工工艺，基底表面淀积形成绝缘层，绝缘层刻蚀形成空腔；在Ag上沉积硅烯，将其完整覆盖所述空腔；把Ag基底剥离掉，再在硅烯薄膜上进行抗氧化保护、掺杂；最后在薄膜的上方边缘沉积两个金属电极，电极分别焊有导线。另一种是采用传统的压阻式压力传感器方式，自下而上包括玻璃、基底、绝缘层、硅烯薄膜、抗氧化保护层、金属电极。本发明的优点是硅烯与传统的半导体工艺兼容性好，制造工艺简单，灵敏度更高，应用更广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 mems 压阻式 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于掺杂硅烯的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，包括：基底、绝缘层，所述基底表面淀积形成绝缘层，所述绝缘层刻蚀出空腔，所述绝缘层表面覆盖有硅烯薄膜，将所述空腔封闭；所述硅烯薄膜表面覆盖抗氧化保护层，所述硅烯薄膜在覆盖所述抗氧化保护层之后进行掺杂，所述抗氧化保护层边缘沉积有两个金属电极，所述两个金属电极分别连接导线。
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