[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610371338.7 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106298776B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郑在烨;金炫助;朴性律;朴世玩;尹钟密;李廷骁;李化成;郑熙暾;河智龙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与所述第一短边接触；第二沟槽，其与所述第二短边接触；在所述第一沟槽中的第一场绝缘膜，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且所述第一部分的高度与所述第二部分的高度不同；在所述第二沟槽中的第二场绝缘膜；以及第一伪栅极，其位于所述第一场绝缘膜的第一部分上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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