[发明专利]用于处理衬底的装置和方法有效
申请号: | 201610371482.0 | 申请日: | 2016-05-30 |
公开(公告)号: | CN106206373B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 金大民;李瑟;李福圭;李载明 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种用于处理衬底的装置包括:注射构件,其具有第一喷嘴和第二喷嘴,所述第一喷嘴配置成向安装在支撑单元上的衬底供应第一化学品,所述第二喷嘴配置成向安装在支撑单元上的衬底供应与第一化学品不同的第二化学品;和控制器,其配置成在供应第二化学品之前供应第一化学品并控制待供应的第一化学品,所述第一化学品根据安装在支撑单元上的衬底上的薄膜类型而不同。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 衬底 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理衬底的装置,所述装置包括:外壳,其配置成为衬底处理工艺提供内部空间;支撑单元,其位于所述外壳中且用于将所述衬底安装在所述支撑单元上;注射构件,其具有第一喷嘴和第二喷嘴,其中,所述第一喷嘴用于向安装在所述支撑单元上的所述衬底供应预处理化学品,所述第二喷嘴用于向安装在所述支撑单元上的所述衬底供应与所述预处理化学品不同的处理化学品,其中所述第一喷嘴连接到用于存储多种第一化学品的容器,且所述第二喷嘴连接到用于存储多种第二化学品的容器;和控制器,其配置成在供应所述处理化学品之前供应所述预处理化学品并基于在所述衬底上的薄膜的类型来从所述多种第一化学品中选择所述预处理化学品和从所述多种第二化学品中选择所述处理化学品以降低所述衬底与所述预处理化学品或所述处理化学品之间的摩擦。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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