[发明专利]一种掩膜板、阵列基板、其制作方法及显示装置在审
申请号: | 201610371606.5 | 申请日: | 2016-05-30 |
公开(公告)号: | CN106054516A | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 吕振华;米磊;尤杨;薛艳娜;王磊;李治福 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩膜板、阵列基板、其制作方法及显示装置,掩膜板包括间隔设置的遮光区域和透光区域,以及设置在至少部分遮光区域与透光区域之间的半透光区域;半透光区域具有锯齿状图形。由于现有的掩膜板中半透光区域相对应的区域为遮光区域,使用现有曝光设备进行曝光时,透光区域的曝光不足,使透光区域本该被曝光的区域仍存在粘连,从而影响曝光线度。因此,通过在至少部分遮光区域与透光区域之间设置半透光区域,在同等曝光条件下,可以提高透光区域的曝光强度,从而可以进一步减小曝光线度,使得TFT沟道的长度减小,使其符合高PPI的生产需求;还可以减小布线区的线距,缩小布线区占用空间,使其符合窄边框要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种掩膜板,其特征在于,包括:间隔设置的遮光区域和透光区域,以及设置在至少部分所述遮光区域与透光区域之间的半透光区域;其中,所述半透光区域具有锯齿状图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备