[发明专利]大气环境下超滑纳米晶-非晶碳薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种大气环境下超滑纳米晶‑非晶碳薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：将预清洁后的硅片放入丙酮、乙醇中超声清洗，然后转移至等离子体增强化学气相沉积设备的真空腔下部基底盘上，基底盘与负偏压电源相连；抽真空直到小于1.0×10^‑3帕；通入氩气，在直流偏压500~800 V条件下进行等离子体清洗，用以除去表面残留的杂质和污染物；通入甲烷和氮气，在直流偏压780~820 V条件下镀膜20~40分钟；通入甲烷和氢气，在直流偏压为780~820V条件下镀膜90~120分钟。本发明所获得的薄膜呈现了纳米晶‑非晶特征，具有较高的硬度和弹性，以及优异的摩擦学性能（摩擦系数可持续维持在0.005左右，磨损率达到了~10^‑17m³/N/m级别）。

主权项

1.大气环境下超滑纳米晶‑非晶碳薄膜的制备方法，其特征在于该制备方法包括以下步骤：1）将预清洁后的硅片放入丙酮、乙醇中超声清洗，然后转移至等离子体增强化学气相沉积设备的真空腔下部基底盘上，基底盘与负偏压电源相连；2）抽真空直到小于1.0×10‑3帕；3）通入氩气，在直流偏压500~800 V条件下进行等离子体清洗；4）通入甲烷和氮气，在直流偏压780~820 V条件下镀膜20~40分钟；通入甲烷和氢气，在直流偏压为780~820V条件下镀膜90~120分钟；所述甲烷和氮气的流量比为0.8:1.0~1.2:1.0；所述甲烷和氢气的流量比为1:1.8~1:2.2。