[发明专利]键合晶圆结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610372757.2 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105977236B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 胡思平;朱继锋;董金文;陈赫 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种键合晶圆结构及其制备方法，通过于UTS结构上方保留挡光金属层来加强UTS结构的可靠性，以防止UTS结构上方阻挡层的不够带来的可靠性问题，并将位于相邻的UTS结构之上的挡光金属层之间进行隔断设计，以保证每个UTS成独立单元来降低漏电，从而为UTS结构在三维集成的更广泛应用打下基础。 | ||
| 搜索关键词： | 键合晶圆 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种键合晶圆结构，其特征在于，包括：键合晶圆，所述键合晶圆设置有若干互连区域，每个所述互连区域中均设置有互不接触的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层和所述第二金属层在同一水平面上的垂直投影互不重叠或仅部分重叠；若干超薄堆叠(UTS)结构，分别设置于所述若干互连区域中以将每个所述互连区域中的第一金属层和所述第二金属层均予以电连接；阻挡层，设置于所述键合晶圆之上，且将所述若干超薄堆叠结构的上表面均予以覆盖；第一氧化层，设置于所述阻挡层之上；若干挡光金属层，分别正对若干所述超薄堆叠结构设置于所述第一氧化层之上，且所述挡光金属层和所述超薄堆叠结构一一对应；第二氧化层，设置于所述第一氧化层之上且将若干所述挡光金属层均予以包覆，且相邻所述挡光金属层之间通过所述第二氧化层隔离。
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