[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括依次在衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层；有源层包括第一子层和第二子层，第一子层中的量子阱层、第一子层中的量子垒层、第二子层中的量子阱层、第二子层中的量子垒层的生长气氛依次为N2和H2的混合气体、纯H2、纯N2、N2和H2的混合气体；第一子层中的量子阱层采用变压、变温的生长方式，第一子层中的量子垒层的生长压力采用高压、高温的生长方式，第二子层中的量子阱层采用低压、低温的生长方式，第二子层中的量子垒层采用变压的生长方式；第一子层的量子垒层采用三甲基镓作为镓源。本发明提高了发光效率。

主权项

一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：依次在衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层；所述有源层包括第一子层和生长在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层和所述第二子层均包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述第一子层中的量子阱层的生长气氛为N2和H2的混合气体，所述第一子层中的量子垒层的生长气氛为纯H2，所述第二子层中的量子阱层的生长气氛为纯N2，所述第二子层中的量子垒层的生长气氛为N2和H2的混合气体；所述第一子层中的量子阱层的生长压力逐渐变化，所述第二子层中的量子阱层的生长压力低于所述第一子层中的量子阱层的平均压力，所述第二子层中的量子垒层的生长压力逐渐变化，所述第一子层中的量子垒层的生长压力高于所述第二子层中的量子垒层的平均压力；所述第一子层中的量子阱层的生长温度逐渐变化，所述第二子层中的量子阱层的生长温度低于所述第一子层中的量子阱层的平均温度，所述第一子层中的量子垒层的生长温度高于所述第二子层中的量子垒层的生长温度；所述第一子层的量子垒层采用三甲基镓作为镓源，所述第一子层的量子阱层、所述第二子层均采用三乙基镓作为镓源；所述第一子层和所述第二子层中的量子阱层的生长温度低于所述第一子层和所述第二子层中的量子垒层的生长温度，所述第一子层和所述第二子层中的量子阱层的生长压力低于所述第一子层和所述第二子层中的量子垒层的生长压力，所述第一子层和所述第二子层中的量子阱层的生长速率低于所述第一子层和所述第二子层中的量子垒层的生长速率。