[发明专利]一种掺杂金合金键合丝及其深冷处理制备方法有效

专利信息
申请号: 201610373064.5 申请日: 2016-05-31
公开(公告)号: CN106011516B 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 吴国防;李凯;王玉忠;邢路剑;肖超;杨爱国;王宇航;杜中元;杜津 申请(专利权)人: 河北德田半导体材料有限公司
主分类号: C22C5/02 分类号: C22C5/02;C22F1/14;C22C1/03;B22D11/116;B22D11/041;B21C37/04
代理公司: 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司13100 代理人: 张志国
地址: 055150 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及一种掺杂金合金键合丝及其深冷处理制备方法。本发明以高纯金为主要成份,掺杂有高纯银及高纯钯所形成的一种掺杂金合金键合丝,由下列重量百分比构成金60%~80%,钯0.5%~3.5%,其余为银;该键合丝产品具有良好的抗氧化性,外观基本呈黄金色,产品的性能与纯金键合丝相近,适合于IC、COB封装及高端LED封装。封装键合时,不需要任何气体保护,产品成本较键合金丝相比,只有键合金丝的3/5~4/5左右。在产品的制备过程中,对键合丝进行2次深冷处理,改善了材料内部晶体组织的排列,提高了材料的物理性能,改善了其键合性能。本产品在下游封装时,打线模式为BSOB及BBOS时,线材与球体共晶得到保障。
搜索关键词: 一种 掺杂 合金 键合丝 及其 冷处理 制备 方法
【主权项】:
一种掺杂金合金键合丝,由下列重量百分比构成:金60%~80%、钯0.5%~3.5%,其余为银;在其制备过程中,对所述掺杂金合金键合丝进行2次低温深冷处理;第1次低温深冷处理:将所述掺杂金合金键合丝在500℃~750℃保温10h~24h,然后于‑30℃~‑100℃保持5s~10s;第2次低温深冷处理:将所述掺杂金合金键合丝在400℃~700℃保温0.5h~3h,然后于‑20℃~‑80℃保持5s~10s。
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