[发明专利]氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法

摘要

本发明提供了一种氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法，方法首先在一衬底上依次沉积氮化镓层、掩模层和光刻胶层，然后在光刻胶层上排列一层紧密排列的聚苯乙烯小球，并以聚苯乙烯小球为透镜，对光刻胶层进行曝光并显影，以在光刻胶层形成圆形孔洞阵列，接着采用刻蚀工艺将光刻胶层的图形转移到氧化硅层上，刻蚀直到暴露出下方氮化镓层，以在掩模层形成圆形孔洞阵列，最后在掩模层的圆形孔洞阵列中生长氮化镓纳米柱和和氮化镓纳米锥混合阵列。本发明能大规模生产出氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列，并且氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱的尺寸可控。

主权项

一种氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法，其特征在于，包括：S1，在一衬底上依次沉积氮化镓层、掩模层和光刻胶层；S2，在光刻胶层上排列一层紧密排列的聚苯乙烯小球；S3，以所述聚苯乙烯小球为透镜，对所述光刻胶层进行曝光并显影，以在所述光刻胶层形成圆形孔洞阵列；S4，采用刻蚀工艺将光刻胶层的图形转移到氧化硅层上，刻蚀直到暴露出下方氮化镓层，以在所述掩模层形成圆形孔洞阵列；S5，在所述掩模层的圆形孔洞阵列中生长氮化镓纳米柱和和氮化镓纳米锥混合阵列。