[发明专利]针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法

摘要

本发明涉及一种针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特点是采用Au、In等温凝固低温键合与有机材料键合相结合的工艺进行射频器件的低温封装工艺，解决了引线横向互连的问题，同时封装还具有良好的机械强度与气密性。同时，Au、In等温凝固键合的金属沉积方式，包括采用Cu作为Au、In等温凝固反应的阻挡层材料，及在In层的表层沉积一层薄的Au用作防止In表层被氧化的保护层材料。将密封环的制作主要集中在封装盖板上，大大减小了封装对衬底芯片的性能影响。同时密封环的制作与封装腔体的制作实现了工艺集成。

主权项

针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其包括封装盖板制作、封装衬底制作、封装盖板与封装衬底对准键合，其特征在于：所述封装盖板制作，包括以下步骤，步骤a1，选择合适的材料作为封装盖材料；步骤a2，清洗后光刻出键合线图形掩模；步骤a3，分别生成粘附层、阻挡层、金属层、In层；步骤a4，制作封装腔体结构；步骤a5，生成密封环，并在其上沉积有机粘结剂材料，完成封装盖板的制作；所述封装衬底制作，包括以下步骤，步骤b1，对衬底基板进行必要清洗；步骤b2，对衬底基板的下部进行键合对准标记与划片标记；步骤b3，在衬底基板的上表面生成密封环结构图形、粘附层、阻挡层、金属层；步骤b4，剥离出键合线金属层图形；步骤b5，在密封环引线接出位置沉积有机粘结剂材料，完成封装衬底基板的制作；所述封装盖板与封装衬底对准键合，包括以下步骤，步骤c1，将封装盖板与封装衬底对准并夹持固定；步骤c2，送入键合机中进行键合；步骤c3，冷却到室温，实现低温键合。