[发明专利]一种低压下制备正交晶系黑磷单晶的方法在审
| 申请号： | 201610373471.6 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106087050A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 闾敏;王东亚;谢小吉;黄岭;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211816 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及正交晶系黑磷单晶制备方法，具体以：将磷原料，单质Sn，矿化剂SnI4混合，置于石英管中，抽真空高温封口，将封闭的石英管置于马弗炉中，通过优化的程序升温和降温制备黑磷，获得的黑磷晶体体积大，结晶性能好，纯度高，制备过程对设备要求低，易于实现，为后续的黑磷应用发展提供极大的便利。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压下 制备 正交 晶系 黑磷 方法 | ||
【主权项】：
一种正交晶系黑磷单晶的制备方法，其特征在于，该方法包括：将磷原料，单质Sn，矿化剂SnI4混合，置于石英管中，抽真空高温封口，将封闭的石英管置于马弗炉中，通过程序升温和降温过程制备黑磷。程序升温过程中，首先从室温升温至升华温度(T1)，再降至起始结晶温度(T2)，经过结晶时间(t3)达到结晶终止温度(T3)，冷却到室温收获黑磷晶体。
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