[发明专利]高导电银基复合材料的原料配方及制备方法有效
| 申请号： | 201610373692.3 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106048288B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张玲洁;沈涛;杨辉;樊先平;张继;管秉钰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C22C5/06 | 分类号： | C22C5/06;C22C32/00;C22C1/05;H01H1/0237;H01H1/027 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司33212 | 代理人： | 周世骏 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属基复合材料技术，旨在提供一种高导电银基复合材料的原料配方及制备方法。该原料配方是由重量百分含量计算的下述组分组成银粉80～88％、炭黑粉体1～18％、纳米氧化铜粉体1～10％、纳米碳化钛粉体0.5～10％、分散剂0.1～2％。采用本发明方法制备获得的高导电银基复合材料，由于含有导电性能优异的增强相材料和微观导电通道，其电阻率最低可达1.9μΩ·cm，延伸率达22％以上。本发明不会对环境造成污染，工艺简单、成本较低。与现有技术中研究和使用最多的环保型银金属氧化物相比，在达到同等性能的条件下，可显著降低银的使用量，以节约贵金属资源。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 复合材料 原料 配方 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备高导电银基复合材料的原料配方，其特征在于，是由重量百分含量计算的下述组分组成：银粉80～88％、炭黑粉体1～18％、纳米氧化铜粉体1～10％、纳米碳化钛粉体0.5～10％、分散剂0.1～2％。
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