[发明专利]一种高效率纳米结构LED及其设计和制备方法在审
| 申请号： | 201610374048.8 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105845791A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈湛旭;何影记;万巍;陈泳竹;陈耿炎 | 申请（专利权）人： | 广东技术师范学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510665 广东省广州市中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效率纳米结构LED及其设计和制备方法，包括：1)利用布拉格衍射理论设计纳米柱阵列的周期；2)利用有效折射率和增强薄膜透过率理论设计纳米柱的直径与高度；3)利用纳米球掩膜刻蚀或其他纳米技术制备纳米柱阵列结构。本发明的设计巧妙，可以大批量生产，通过优化设计纳米柱结构从而制备高效率的平面结构LED芯片。本发明公开的高效率LED的设计和制备方法，在LED的透明电极ITO层设计纳米柱阵列结构，制备出高效率的平面结构LED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效率 纳米 结构 led 及其 设计 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高效率纳米结构LED，其特征在于：包括衬底、形成于所述衬底上的非掺杂GaN层、形成于所述非掺杂GaN层上的n掺杂GaN层、形成于所述n掺杂GaN层上的多量子阱层，形成于所述多量子阱层上的p掺杂GaN层，形成于所述p掺杂GaN层上的ITO层，形成于所述ITO层上的纳米结构，所述纳米结构为分布在所述ITO上的纳米柱阵列。
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