[发明专利]终端结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种终端结构的制造方法，包括步骤：在半导体衬底中形成沟槽；形成第一绝缘层将沟槽完全填充；淀积第二硬质掩模层；对第二硬质掩模层进行光刻刻蚀形成第一开口；以第二硬质掩模层为掩模对第一开口底部的第一绝缘层进行第一次各向异性刻蚀形成第二凹槽；对第二硬质掩模层进行横向刻蚀使第一开口的宽度扩大；以第二硬质掩模层为掩模对第一开口底部的第一绝缘层进行第二次各向异性刻蚀使第二凹槽在纵向和横向扩大并呈阶梯结构；依次重复步骤六和步骤七并最后形成屏蔽介质层；去除第二硬质掩模层，在第二凹槽中填充电极材料层。本发明能形成厚度渐变的屏蔽介质层，能够终端结构的电场强度分布均匀并提高击穿电压，且工艺简单、成本低。

主权项

一种终端结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，采用光刻刻蚀工艺在所述半导体衬底中形成沟槽；步骤二、进行第一绝缘层生长，所述第一绝缘层将所述沟槽完全填充；步骤三、淀积第二硬质掩模层，所述第二硬质掩模层的材料和所述第一绝缘层的材料不同；且所述第二硬质掩模层能作为后续对所述第一绝缘层进行各向异性刻蚀的掩模以及后续对所述第二硬质掩模层进行横向刻蚀的刻蚀速率大于所述第一绝缘层的刻蚀速率；步骤四、对所述第二硬质掩模层进行光刻刻蚀形成穿过所述第二硬质掩模层的第一开口，所述第一开口位于所述沟槽的正上方，所述第一开口的中央和所述沟槽的中央对齐，所述第一开口的宽度小于所述沟槽的宽度；步骤五、以所述第二硬质掩模层为掩模对所述第一开口底部的所述第一绝缘层进行第一次各向异性刻蚀形成第二凹槽，所述第二凹槽的宽度由所述第一开口的宽度确定；步骤六、对所述第一开口两侧的所述第二硬质掩模层进行横向刻蚀使所述第一开口的宽度扩大；步骤七、以所述第一开口扩大后的所述第二硬质掩模层为掩模对所述第一开口底部的所述第一绝缘层进行第二次各向异性刻蚀使所述第二凹槽在纵向和横向扩大并呈阶梯结构；步骤八、依次重复步骤六和步骤七并最后在所述沟槽的底部和侧面形成由剩余的所述第一绝缘层组成的屏蔽介质层；每次步骤七完成后，所述第二凹槽最顶部阶梯处的宽度由当次各向异性刻蚀所对应的所述第一开口的宽度确定，所述第二凹槽最顶部阶梯处以下的各阶梯处的宽度分布依次由前一次各向异性刻蚀直至所述第一次各向异性刻蚀所对应的所述第一开口的宽度确定；从所述沟槽的底部往上，所述沟槽侧面的所述屏蔽介质层呈阶梯结构且随着阶梯增加厚度依次减薄；步骤九、去除所述第二硬质掩模层，在所述第二凹槽中填充电极材料层并形成终端结构。