[发明专利]屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法

摘要

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法，栅极结构采用如下步骤形成：形成硬质掩模层并定义出栅极形成区域；对半导体衬底进行刻蚀形成深沟槽；形成底部氧化层；形成源多晶硅；进行多晶硅回刻使源多晶硅和硬质掩模层顶部表面相平；去除硬质掩模层形成源多晶硅的顶部凸出结构；在源多晶硅的凸出部分的侧面形成氧化物刻蚀阻挡层组成的侧壁；以侧壁为自对准掩模对底部氧化层进行刻蚀形成顶部沟槽和源多晶硅的两个侧面的多晶硅间隔离氧化层；在顶部沟槽的侧面形成栅介质层；在顶部沟槽中填充形成多晶硅栅。本发明能在降低器件的阈值电压的同时降低器件的栅源漏电。

主权项

1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法，其特征在于，栅极结构采用如下步骤形成：步骤一、提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面形成硬质掩模层，采用光刻工艺定义出栅极形成区域，采用刻蚀工艺将所述栅极形成区域的所述硬质掩模层去除；步骤二、以刻蚀后的所述硬质掩模层为掩模对所述半导体衬底进行刻蚀形成深沟槽；步骤三、采用淀积工艺在所述深沟槽的底部表面和侧面形成底部氧化层；步骤四、进行第一次多晶硅生长在所述深沟槽中填充多晶硅形成源多晶硅；步骤五、对所述源多晶硅进行回刻，回刻后的所述源多晶硅的顶部表面和所述硬质掩模层顶部表面相平；步骤六、去除所述硬质掩模层，所述硬质掩模层去除后所述源多晶硅的顶部表面凸出于所述半导体衬底表面；步骤七、进行氧化物刻蚀阻挡层的生长和回刻从而在所述源多晶硅的凸出部分的侧面形成由所述氧化物刻蚀阻挡层组成的侧壁；步骤八、以所述侧壁为自对准掩模对所述底部氧化层进行刻蚀，该刻蚀后在所述源多晶硅两侧形成顶部沟槽以及在所述源多晶硅的两个侧面形成多晶硅间隔离氧化层；所述多晶硅间隔离氧化层由位于所述侧壁底部的未被刻蚀掉的所述底部氧化层组成；步骤九、在所述顶部沟槽的侧面形成栅介质层；步骤十、进行第二次多晶硅生长并进行多晶硅回刻在所述顶部沟槽中填充由多晶硅组成的多晶硅栅。