[发明专利]沟槽型双层栅MOS的工艺方法在审
| 申请号： | 201610374811.7 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN105845579A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈晨 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS的工艺方法，包含如下步骤：步骤1，在衬底上刻蚀形成沟槽，在沟槽内生长ONO介质层；步骤2，在沟槽内淀积第一层多晶硅，并对第一层多晶硅进行回刻；步骤3，在第一多晶硅层上通过热氧化形成第一热氧介质层；步骤4，去除ONO介质层最外层的氧化层，生长第二多晶硅层并回刻；步骤5，在第二多晶硅层表面形成第二热氧介质层；步骤6，进行基极、源极注入，以及接触孔刻蚀形成接触的工艺。本发明所述的沟槽型双层栅MOS的工艺方法，源极接触孔形成具有自对准的效果，有效的改善了源极的接触孔的光刻套准对工艺精度敏感导致器件的阈值电压Vth或者源漏导通电阻Rdson失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 双层 mos 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型双层栅MOS的工艺方法，其特征在于：包含如下步骤：步骤1，在衬底上刻蚀形成沟槽，在沟槽内生长ONO介质层；步骤2，在沟槽内淀积第一层多晶硅，并对第一层多晶硅进行回刻；步骤3，在第一多晶硅层上通过热氧化形成第一热氧介质层；步骤4，去除ONO介质层最外层的氧化层，生长第二多晶硅层并回刻；步骤5，在第二多晶硅层表面形成第二热氧介质层；步骤6，进行基极、源极注入，以及接触孔刻蚀形成接触的工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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