[发明专利]快恢复二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610375180.0 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107452621B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈天;顾勇;于绍欣;张旭;廖永亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快恢复二极管的制造方法，包括如下步骤：提供N型低掺杂衬底；在所述N型低掺杂衬底的第一表面形成功能区和终端分压环区；在所述N型低掺杂衬底的第二表面进行深注入，形成位于N型低掺杂衬底内的N型掺杂层；在所述N型低掺杂衬底的第二表面进行注入，形成位于N型低掺杂衬底第二表面的N型高掺杂层。上述快恢复二极管的制造方法，通过在N型低掺杂衬底第二表面深注入形成N型掺杂层，提高了阻断电压，衬底厚度减小，使得到的快恢复二极管的正向压降降低。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管的制造方法，包括如下步骤：提供N型低掺杂衬底；在所述N型低掺杂衬底的第一表面形成功能区和终端分压环区；在所述N型低掺杂衬底的第二表面进行深注入，形成位于N型低掺杂衬底内的N型掺杂层；在所述N型低掺杂衬底的第二表面进行注入，形成位于N型低掺杂衬底第二表面的N型高掺杂层；所述N型低掺杂衬底、N型掺杂层和N型高掺杂层的掺杂浓度依次增大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
