[发明专利]一种沟槽型CoolMOS及其制作方法在审
| 申请号： | 201610375244.7 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN105870194A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 周炳 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 215617 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，一种沟槽型CoolMOS，由下到上依次包括背面金属层、N+衬底、N‑外延层、P‑阱区、n+源区、绝缘层和正面金属层；N+衬底上设置有贯通N+衬底的若干超结沟槽，超结沟槽一端延伸至N‑外延层，超结沟槽内填充有P型硅；P‑阱区设置有贯通P‑阱区和n+源区的若干栅极沟槽，栅极沟槽一端延伸至N‑外延层，栅极沟槽内填充有多晶硅，多晶硅与栅极沟槽之间通过栅氧间隔设置；n+源区设置有贯通n+源区和绝缘层的若干接触孔，接触孔一端延伸至P‑阱区，接触孔内填充有导电金属，且导电金属与正面金属层接触。正面采用栅极沟槽结构，背面挖槽，填充P型硅，达到多次注入扩散P型离子的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 coolmos 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型CoolMOS，其特征在于：由下到上依次包括背面金属层(13)、N+衬底(1)、N‑外延层(2)、P‑阱区(3)、n+源区(7)、绝缘层(8)和正面金属层(10)；所述N+衬底(1)上设置有贯通所述N+衬底(1)的若干超结沟槽(11)，所述超结沟槽(11)一端延伸至所述N‑外延层(2)，所述超结沟槽(11)内填充有P型硅(12)；所述的P‑阱区(3)设置有贯通所述P‑阱区(3)和n+源区(7)的若干栅极沟槽(4)，所述栅极沟槽(4)一端延伸至N‑外延层(2)，所述栅极沟槽(4)内填充有多晶硅(6)，所述多晶硅(6)与栅极沟槽(4)之间通过栅氧(5)间隔设置；所述n+源区(7)设置有贯通所述n+源区(7)和所述绝缘层(8)的若干接触孔(9)，所述接触孔(9)一端延伸至P‑阱区(3)，所述的接触孔(9)内填充有导电金属，且所述导电金属与所述正面金属层(10)接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州同冠微电子有限公司，未经苏州同冠微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610375244.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管及其制造方法、液晶显示面板
- 下一篇：一种配电箱的突门结构
- 同类专利
- 专利分类
