[发明专利]一种无粘结剂的二氧化锰/聚吡咯复合电极、制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 201610377089.2 申请日: 2016-05-31
公开(公告)号: CN106024414A 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 程起林;徐晨辉;何颖;周罗肖;宁金凤 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: H01G11/46 分类号: H01G11/46;H01G11/48;H01G11/86;C23C18/12;C25D13/08
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 龚敏
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种无粘结剂二氧化锰/聚吡咯复合电极的制备方法。该方法具体是以泡沫镍集流体为基体,首先在高温下水热分解高锰酸钾,使得二氧化锰纳米片阵列生长在泡沫镍骨架上。接着将含有氧化锰的泡沫镍浸在含有吡咯的电解液中,进行恒电位电化学沉积,使聚吡咯均匀地在二氧化锰片层表面上生长,从而获得泡沫镍负载的二氧化锰/聚吡咯复合物。在泡沫镍上直接生长二氧化锰,可有效避免电极制备过程中粘结剂的使用,降低了体系内电阻。聚吡咯薄膜能够改善二氧化锰电极与电解液的浸润性,在不阻塞离子扩散通道的情况下,同时增加额外的法拉第赝电容。该复合电极材料展现出良好的电化学性能,有望在超级电容器材料领域有很好的应用前景。
搜索关键词: 一种 粘结 二氧化锰 吡咯 复合 电极 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种无粘结剂的二氧化锰/聚吡咯复合电极材料制备方法,其特征在于,所述电极材料的制备方法包括以下步骤:(1)泡沫镍浸入高锰酸钾水溶液,在水热条件下(140oC ‑200oC)发生水解反应,在泡沫镍骨架上生长二氧化锰纳米阵列;(2使用三电极体系中,将生长二氧化锰纳米阵列的泡沫镍作为工作电极,浸没在含有吡咯单体的电解液中,进行恒电位电化学沉积。
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