[发明专利]混合型有源-场间隙延伸漏极MOS晶体管

摘要

一种集成电路(100)包括具有并行交替的有源间隙漂移区和场间隙漂移区的延伸漏极MOS晶体管(102)。延伸漏极MOS晶体管包括在场间隙漂移区上具有场板的栅极。延伸漏极MOS晶体管可以以对称嵌套配置形成。用于形成包含延伸漏极MOS晶体管的集成电路的工艺提供并行交替的有源间隙漂移区和场间隙漂移区，其中栅极在场间隙漂移区上具有场板。

主权项

1.一种集成电路，其包括：半导体衬底；以及延伸漏极金属氧化物半导体晶体管即EDMOS晶体管，其包括：位于所述半导体衬底中的沟道区；位于所述半导体衬底中的延伸漏极，所述延伸漏极包括漂移区，所述漂移区具有场间隙漂移区和与所述场间隙漂移区交替的有源间隙区，所述漂移区紧靠所述沟道区；场氧化物结构，其被定位成邻近所述场间隙漂移区且与所述沟道区相对；以及位于所述延伸漏极上的漏极接触扩散区，所述漏极接触扩散区比所述延伸漏极具有更高的掺杂浓度，并且紧靠所述有源间隙区并与所述场氧化物结构交插。