[发明专利]检测离子浓度的方法有效
| 申请号： | 201610377362.1 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107452639B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李震远;史江北;安云玲;刘传军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的检测离子浓度的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的表面形成阵列分布的测试垫，测试垫中具有掺杂离子，且相邻测试垫之间的间隔均相等；采用二次离子质谱分析半导体衬底，在阵列分布的测试垫中扫描呈方形的第一区域，第一区域的边长大于测试垫的边长，且小于阵列分布的测试垫的总长度；收集第二区域中的掺杂离子以及半导体衬底的二次离子信号，第二区域为位于第一区域中呈方形的区域，第二区域的边长大于测试垫的边长，且第二区域至少完全覆盖一个测试垫；对二次离子信号中的半导体衬底的信号进行修正，得到掺杂离子的含量。本发明中，采用阵列分布的测试垫，离子束扫描的范围可扩大，降低检测的难度，提高检测的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 离子 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种检测离子浓度的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面形成阵列分布的测试垫，所述测试垫中具有掺杂离子，且相邻所述测试垫之间的间隔均相等；采用二次离子质谱分析所述半导体衬底，在所述阵列分布的测试垫中扫描呈方形的第一区域，所述第一区域的边长大于所述测试垫的边长，且小于所述阵列分布的测试垫的总长度；收集第二区域中的掺杂离子以及半导体衬底的二次离子信号，所述第二区域为位于所述第一区域中呈方形的区域，所述第二区域的边长大于所述测试垫的边长，且所述第二区域至少完全覆盖一个所述测试垫；对所述二次离子信号中的半导体衬底的信号进行修正，得到所述掺杂离子的含量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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