[发明专利]双向沟槽TVS二极管及制作方法

摘要

本发明提供一种双向沟槽TVS二极管及制作方法，包括一P型衬底层；在P型衬底层上的一P型外延层；在P型外延层上的三道第一沟槽，其槽底深入P型衬底层内；填充于第一沟槽内的氧化物；在P型外延层上的两道第二沟槽，且第二沟槽位于相邻第一沟槽之间，其槽底深入P型外延层内；以第二沟槽空间为基准向P型外延层延伸的N型区域；填充于第二沟槽内的N型多晶硅；形成于P型外延层表面的一绝缘介质层，在绝缘介质层上设置介质孔，介质孔对应第二沟槽内的N型多晶硅；在介质孔内填充金属，金属上设电极线。本发明的双向沟槽TVS二极管及其制作方法，通过制作两组齐纳二极管，形成双向保护电路，刻蚀沟槽形成N型区域，增大放电面积，减小了芯片面积。

主权项

一种双向沟槽TVS二极管的制作方法，其特征在于，包括：制备一P型衬底层；在所述P型衬底层上形成一P型外延层；在所述P型外延层上形成一第一氧化层；通过光刻和干法刻蚀在所述第一氧化层上形成平行设置的三道第一沟槽，且所述第一沟槽的槽底深入所述P型衬底层内；在所述第一沟槽内填充与所述第一氧化层同一物质的氧化物；通过光刻和干法刻蚀在所述第一氧化层上形成平行设置的两道第二沟槽，且所述第二沟槽位于相邻第一沟槽之间，所述第二沟槽的槽底深入所述P型外延层内；以所述第二沟槽空间为基准向所述P型外延层进行N型注入形成N型区域；在所述第二沟槽内填充N型多晶硅；通过干法刻蚀去除所述P型外延层上表面的第一氧化层和N型多晶硅层；在所述P型外延层表面形成一绝缘介质层，并在绝缘介质层上刻蚀介质孔，所述介质孔对应所述第二沟槽内的N型多晶硅；在所述介质孔内填充金属，金属上设电极线。