[发明专利]一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器在审
| 申请号： | 201610378566.7 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN106100601A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈培杕;刘众;李勇;宋松;杨鑫垚 | 申请（专利权）人： | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17;H03H9/54 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 王晓峰 |
| 地址： | 313200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器，包括具有地室的高阻衬底、由上金属电极和下金属电极夹持压电体组成的三明治有源结构，三明治有源结构设置于高阻衬底上端；所述压电体为超薄压电单晶体，地室内设有若干根支柱。超薄压电单晶体所用的压电单晶体，为所有可实用化的压电单晶体，如石英、钽酸锂、铌酸锂、四硼酸锂、锗酸铋、硅酸铋、硅酸镓镧系列、正磷酸铝和铌酸钾。所用的高阻衬底，为硅、石英、碳化硅、三氧化二铝、蓝宝石、金刚石等微电子技术常用衬底材料。本发明的优点有：超薄压电单晶体，晶体完整性未被破坏，为完美单晶；可以自由选择晶体及其晶向，优化器件性能；超薄压电单晶体生产技术前景明朗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 超薄 压电 单晶体 制作 薄膜 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括具有地室的高阻衬底、由上金属电极和下金属电极夹持压电体组成的三明治有源结构，三明治有源结构设置于高阻衬底上端；所述压电体为压电单晶体超薄层，在地室内设有若干根支柱。
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