[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，通过在扫描线上方设置一尺寸大于沟道区域的监测区域，并在半色调掩膜板上增设对应监测区域的半透光区域，该半透光区域与对应沟道区域的半透光区域的透光率均相同，进而可以通过监测显影后监测区域内的剩余的光阻层厚度来判定沟道区域中剩余的光阻层厚度是否合格，由于监测区域的尺寸更大，相比于尺寸较小的沟道区域易于监测，能够及时发现沟道区域中的光阻层制程不良，提升TFT基板的良率。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上依次形成栅极(2)、与所述栅极(2)相连的扫描线(21)、覆盖所述栅极(2)、扫描线(21)、以及基板(1)的栅极绝缘层(3)、覆盖所述栅极绝缘层(3)的半导体层(4’)、以及覆盖所述半导体层(4’)的第二金属层(5’)；所述半导体层(4’)对应于所述栅极(2)上方设有沟道区域；所述扫描线(21)上方设有监测区域；步骤2、提供一半色调掩膜板(9)，所述半色调掩膜板(9)包括：对应于沟道区域设置的第一曝光区(91)、对应于监测区域设置的第二曝光区(92)、对应于待形成源极、漏极、以及数据线的区域设置的第三曝光区(93)、以及对应于除去沟道区域、监测区域、和待形成源极、漏极、以及数据线的区域以外的区域设置的第四曝光区(94)；所述第一曝光区(91)与第二曝光区(92)均为半透光区域，且所述第一曝光区(91)与第二曝光区(92)的透光率均相同，所述第二曝光区(92)的尺寸大于所述第一曝光区(91)；所述第三曝光区(93)为全透光区域、及不透光区域中的一种，所述第四曝光区(94)为全透光区域、及不透光区域中不同于第三曝光区(93)的另一种；步骤3、在所述第二金属层(5’)上覆盖一层光阻层(6’)，利用所述半色调掩膜板(9)对所述光阻层(6’)进行曝光并显影；步骤4、对显影后监测区域内的剩余的光阻层(6’)厚度进行监测，通过监测区域内剩余的光阻层(6’)的厚度判定沟道区域中剩余的光阻层(6’)厚度是否合格；若合格则直接进行步骤5，若不合格则去除剩余的全部光阻层(6’)，并返回步骤3；步骤5、利用所述剩余的光阻层(6’)图案化所述半导体层(4’)、及第二金属层(5’)，形成位于所述栅极(2)上的栅极绝缘层(3)上的有源层(4)、及分别与所述有源层(4)的两端相接触的源极(51)与漏极(52)、以及与所述源极(51)相连的数据线。