[发明专利]一种具有中空结构的六棱柱状羟基氧化钴材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610380082.6 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107452955B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 陈光文;杨梅;陈会会;陶莎;任明月 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01M4/52 | 分类号： | H01M4/52;H01M10/0525;H01G11/46 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 毛薇;王颖 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有中空结构的六棱柱状羟基氧化钴材料及其制备方法，属于无机材料领域。该具有中空结构的六棱柱状羟基氧化钴的横截面为六边形，六条边的长度可以相同或不同，均为200‑500nm，纵向厚度为150‑250nm，中间空腔的体积为六棱柱总体积的30％‑80％，其制备方法具体过程如下：(1)将钴盐水溶液和氨水溶液并流滴入三口烧瓶中，在惰性气氛及搅拌条件下反应一定时间；(2)加入强碱溶液，陈化一定时间；(3)撤掉惰性气体，加入一定量的强氧化剂，继续陈化；(4)陈化结束后所得悬浊液经过滤、洗涤、干燥，得到一种具有中空结构的六棱柱状羟基氧化钴材料。本发明具有工艺流程简单、反应条件温和、易大规模制备等优点，所得产品粒度分布窄、形貌可控、重现性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 中空 结构 棱柱 羟基 氧化钴 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有中空结构的六棱柱状羟基氧化钴，其分子式为CoOOH，该具有中空结构的六棱柱状羟基氧化钴的横截面为六边形，六条边的长度可以相同或不同，均为200‑500nm，纵向厚度为150‑250nm，中间空腔的体积为六棱柱总体积的30％‑80％。
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