[发明专利]类提拉法单晶生长装置及方法

摘要

本发明公开了一种类提拉法单晶生长装置及方法，生长装置包括一个半圆形的加热炉膛和一个与加热炉膛相匹配的圆柱形的透明的生长安瓿，所述的加热炉膛包括炉膛内壳和绕在炉膛内壳上的加热炉丝；所述的生长安瓿的上方设置有与生长安瓿内部相通的抽气管，抽气管的底部伸入生长安瓿内的部分为籽晶袋，生长安瓿两圆形侧面中心设有与旋转装置相连的圆形生长安瓿支架。本装置和方法具有传统坩埚下降法和梯度冷凝法生长工艺中熔体及生长后的晶体不与外界气氛接触，可以满足部分具有高的蒸汽压和分解压晶体生长的优势。同时弥补了传统提拉法无法生长高蒸汽压和分解压晶体和坩埚下降法及梯度冷凝法难以控制位错缺陷的缺陷。所生长晶体纯度高，位错缺陷少。

主权项

一种类提拉法单晶生长装置，其特征在于包括一个半圆形的加热炉膛和一个与加热炉膛相匹配的圆柱形的透明的生长安瓿，所述的加热炉膛包括炉膛内壳(2)和绕在炉膛内壳上的加热炉丝(1)；所述的生长安瓿的上方设置有与生长安瓿内部相通的抽气管(3)，抽气管(3)的底部伸入生长安瓿内的部分为籽晶袋(6)，生长安瓿两圆形侧面中心设有与旋转装置相连的圆形生长安瓿支架(5)，从抽气管处对生长安瓿内部进行抽真空并封接。