[发明专利]一种太阳能电池硅片的清洗方法在审
| 申请号： | 201610380358.0 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810563A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 侯玥玥;金井升;黄纪德;蒋方丹;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池硅片的清洗方法，包括步骤：采用臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，使硅片表面产生氧化层；采用氢氟酸溶液对硅片进行表面腐蚀处理；对硅片进行漂洗。本发明清洗方法先以臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，能够有效地氧化硅片表面沾污的有机物污质，并氧化硅片表面形成氧化膜；然后通过氢氟酸溶液对硅片进行腐蚀清洗，去除表面的金属污质，并腐蚀掉表面的氧化膜，在腐蚀掉表面氧化膜的同时去除了表面污质，从而实现对硅片表面的清洗。本发明清洗方法中采用臭氧水溶液，臭氧水溶液与表面有机物污质反应产生CO2和H2O，对人体无危害性，且臭氧水溶液产生的废液对环境污染小，不需要进行特殊处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，包括步骤：S1：采用臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，使硅片表面产生氧化层；S2：采用氢氟酸溶液对硅片进行表面腐蚀处理；S3：对硅片进行漂洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
