[发明专利]具有静电保护的发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610381162.3 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106025017B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 吴超瑜;吴俊毅;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有静电保护的发光二极管及其制作方法，其在芯片出光面上设置静电保护区、电极区和出光，在电极区上形成第一N型欧姆接触电极，在该静电保护区依次形成蚀刻截止层、隧穿结、静电保护层、第二N型欧姆接触电极构成抗静电保护结构，在当发光二极管受到静电逆向偏压时，所述抗静电保护结构工作，电流经由第一N型欧姆接触电极、静电保护结构至第二N型欧姆接触电极，避免静电逆向偏压过高造成所述发光层被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 保护 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.具有静电保护的发光二极管芯片，包括：发光部，包含P 型覆盖层、发光层和N型覆盖层，其上表面划分为出光区、电极区和静电保护区；抗静电保护结构，位于所述发光部的静电保护区之上，依次包含蚀刻截止层、隧穿结、静电保护层，所述静电保护层由一N型半导体层和一P型半导体层构成；第一N型欧姆接触电极，形成于所述发光部的电极区之上；第二N型欧姆接触电极，形成于所述静电保护层之上；当发光二极管受到静电逆向偏压时，所述抗静电保护结构工作，电流经由第一N型欧姆接触电极、静电保护结构至第二N型欧姆接触电极，避免静电逆向偏压过高造成所述发光层被破坏。
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