[发明专利]一种具有金属缓冲层的发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610381206.2 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN105826438A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 黄文宾;张家宏;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体领域，涉及一种具有金属缓冲层的发光二极管及其制备方法，其至少包括一衬底及依次位于所述衬底之上的AlN缓冲层和外延层，其特征在于：所述AlN缓冲层和外延层之间还插入一金属缓冲层，所述金属缓冲层由Al颗粒层和Ni金属膜层组成，所述Ni金属膜层覆盖于复数个Al颗粒表面形成复数个不连续的片状结构，并裸露出部分底部的AlN缓冲层，所述外延层从AlN缓冲层表面延伸至片状结构表面。所述外延层以所述片状结构的金属缓冲层为掩膜进行横向外延生长，降低外延层生长的位错密度，阻止底部缺陷的延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 金属 缓冲 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有金属缓冲层的发光二极管，至少包括一衬底及依次位于所述衬底之上的AlN缓冲层和外延层，其特征在于：所述AlN缓冲层和外延层之间还插入一由复数个不连续分布的片状结构组成的金属缓冲层，所述片状结构由Al颗粒层和Ni金属膜层周期性交替层叠而成，相邻所述片状结构之间裸露出的AlN缓冲层为AlN微区，所述外延层位于所述AlN微区和片状结构表面。
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