[发明专利]一种由二氧化硅制备纳米硅的新方法在审
| 申请号： | 201610382034.0 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106044777A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 刘志亮;常兴华;郑捷;李星国 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 董琍雯 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种由二氧化硅制备纳米硅的新方法，该方法基于镁热还原SiO2是放热的自发反应的原理，通过在室温下低转速球磨引发反应，并利用反应放热，维持反应自发进行，10min即可基本完成。原料简单易得，操作步骤非常简单，具有简单快捷，产率高，成本低、反应产物纯度高、易于放大等优势，制备出的纳米硅颗粒尺寸小，分布均匀，具有多孔结构，可利用在锂离子电池负极材料，传感器，光学器件等各个方面，极具工业化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 制备 纳米 新方法 | ||
【主权项】：
一种由二氧化硅制备纳米硅的新方法，包括以下步骤：(1)取二氧化硅原料和镁粉混合并进行球磨；(2)使球磨后的混合物与盐酸进行反应，除去MgO，生成MgCl2，离心分离纳米硅，洗涤并干燥，得到纳米硅。
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