[发明专利]一种电感耦合等离子体装置有效
申请号: | 201610383812.8 | 申请日: | 2016-06-01 |
公开(公告)号: | CN105931940B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 魏钰;刘军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种电感耦合等离子体装置,涉及显示技术领域,可提高刻蚀均匀性。该电感耦合等离子体装置,包括反应室和介电耦合板,以及设置在所述介电耦合板上方的线圈;所述介电耦合板为至少两层结构;所述介电耦合板分为多个区域,在每个区域还设置有电场调节结构,所述电场调节结构位于相邻两层所述介电耦合板之间;所述电场调节结构用于调节通过每个区域进入所述反应室的电场强度。用于干法刻蚀。 | ||
搜索关键词: | 一种 电感 耦合 等离子体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电感耦合等离子体装置,包括反应室和介电耦合板,以及设置在所述介电耦合板上方的线圈;其特征在于,所述介电耦合板为至少两层结构;所述介电耦合板分为多个区域,在每个区域还设置有电场调节结构,对从每个区域进入到所述反应室的电场强度进行独立调节,以使调节后进入所述反应室的感应电场的强度相对均匀;所述电场调节结构位于相邻两层所述介电耦合板之间;所述电场调节结构用于调节通过每个区域进入所述反应室的电场强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610383812.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。