[发明专利]一种稀土掺杂荧光粉、其合成方法及其在LED器件上的应用有效

专利信息
申请号: 201610384438.3 申请日: 2016-06-02
公开(公告)号: CN106047341B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 张琳;李万元;毛建;权恒道 申请(专利权)人: 北京宇极科技发展有限公司;北京中村宇极科技有限公司;西安鸿宇光电技术有限公司
主分类号: C09K11/65 分类号: C09K11/65;C09K11/79;C09K11/80;H01L33/50
代理公司: 北京兆君联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11333 代理人: 胡敬红
地址: 100081 北京市海淀区中关*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种稀土掺杂荧光粉、其合成方法及其在LED器件上的应用,属于发光材料技术领域。该荧光粉化学通式为MS2‑yAyO2+yN2‑y‑4z/3Cz:Rx,本发明的化合物用C4‑取代N3‑,由于C较N电负性更小,C4‑比N3‑的电子云膨胀效应更明显,掺入之后使得稀土离子5d能级劈裂加剧,斯托克斯位移也会发生变化,粉体的荧光峰位、全半峰宽等荧光参数发生变化。通过调整上述掺杂离子的产生,可以获得不同荧光光色和量子效率的荧光粉。本发明中还公开了该荧光粉应用于LED器件领域,该荧光粉应用于以蓝色LED或紫外LED为光源的白光LED照明器具或发光元件,有助于器件的显色指数提高。
搜索关键词: 一种 稀土 掺杂 荧光粉 合成 方法 及其 led 器件 应用
【主权项】:
1.一种稀土掺杂荧光粉,其分子式为MS2‑yAyO2+yN2‑y‑4z/3Cz:Rx,其中M=Mg、Ca、Sr、Ba中的一种或多种,S为Si、Ge中的一种或多种,A为Al、Ga中的一种或多种,R为二价稀土离子Eu2+、Yb2+、Sm2+中的一种或多种,或者R为三价稀土离子Ce3+、La3+、Pr3+、Sm3+、Tb3+、Dy3+中的一种或多种,0.001≤x≤0.2,0≤y≤0.8,0
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