[发明专利]一种氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201610384831.2 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN105845794B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;杜伟华;钟志白;杨焕荣;廖树涛;李志明;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，In量子点/InN和Al量子点/AlN组成的V形坑控制层，第一V形坑，第二V形坑，多量子阱，P型氮化物以及P型接触层，在多量子阱形成第一V形坑的基础上，在多量子阱区与N型氮化物间插入一层In量子点/InN和Al量子点/AlN组成的V形坑控制层，通过控制该层的In量子点/InN和Al量子点/AlN界面形成的堆垛层错和反向畴等缺陷的密度，来控制产生第二V形坑的密度，从而获得最佳的V形坑的密度，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，In量子点/InN和Al量子点/AlN组成的V形坑控制层，第一V形坑，第二V形坑，多量子阱，P型氮化物以及P型接触层，所述V形坑控制层插入于多量子阱区与N型氮化物之间；所述In量子点/InN和Al量子点/AlN组成的V形坑控制层，通过In量子点/InN和Al量子点/AlN两者界面形成的堆垛层错和反向畴缺陷密度来控制多量子阱的第二V形坑的密度。
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