[发明专利]一种氮化物发光二极管

摘要

本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V形坑，第一AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格、In量子点/InN量子点形成的局域量子态、第二AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格组成的复合结构，P型氮化物以及P型接触层，所述多量子阱区域的V形坑中沉积第一AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格、In量子点/InN量子点形成的局域量子态、第二AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格的复合结构，V形坑上下两组AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格结构，将位错阻挡在V形坑中，阻挡其继续往上延伸，有效地减少位错，降低非辐射复合，降低漏电和改善ESD，提升发光效率和发光强度；而两组超晶格结构中间的In量子点/InN量子点组成的混合局域量子态，提升量子阱的量子效应，进一步提升发光效率和发光强度。

主权项

1.一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V形坑，第一AlN/AlxGa1‑xN超晶格、In量子点/InN量子点形成的局域量子态、第二AlN/AlxGa1‑xN超晶格组成的复合结构，P型氮化物以及 P型接触层，V形坑中沉积第一AlN/AlxGa1‑xN超晶格、In量子点/InN量子点形成的局域量子态、第二AlN/AlxGa1‑xN超晶格的复合结构，其中第一AlN/AlxGa1‑xN超晶格、第二AlN/AlxGa1‑xN超晶格的Al组分x：0

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