[发明专利]具有PN掺杂量子垒的发光二极管外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610385337.8 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106159047B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 徐明升;周泉斌;王洪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有PN掺杂量子垒的发光二极管外延结构及其制备方法，发光二极管结构从下至上包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和P型GaN导电层，其特征在于所述量子阱有源区包括量子阱层和量子垒层；所述量子垒层由P型掺杂量子垒和N型掺杂量子垒组成。本发明采用微PN结量子垒代替传统的量子垒，可以屏蔽量子阱的极化电场，减小电子空穴波函数分离，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 pn 掺杂 量子 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有PN掺杂量子垒的发光二极管结构，从下至上包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和P型GaN导电层，其特征在于所述量子阱有源区包括量子阱层和量子垒层；所述量子垒层由P型掺杂量子垒和N型掺杂量子垒组成。
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