[发明专利]一种半模基片集成波导双工器在审

专利信息
申请号: 201610386601.X 申请日: 2016-06-04
公开(公告)号: CN106025463A 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 李国辉;吴玉丹;杨维 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01P1/207 分类号: H01P1/207
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 代理人: 陆聪明
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种半模基片集成波导双工器,包括介质板层,还包括介质板层正面的上金属镀层以及介质板层反面的下金属镀层;所述上金属镀层有输入端口和两个输出端口,输入输出采用50Ω微带线直接耦合馈电;所述上金属镀层上设有接地金属通孔。本发明双工器采用HMSIW结构易于集成,又具备了功率容量大、高Q、低损耗以及适用频率高等特点。相较一般SIW结构,HMSIW减小约一半尺寸,大大地减小了双工器的体积。
搜索关键词: 一种 半模基片 集成 波导 双工器
【主权项】:
一种半模基片集成波导双工器,包括介质板层(2),其特征在于,还包括介质板层(2)正面的上金属镀层(1)以及介质板层(2)反面的下金属镀层(3);所述上金属镀层(1)有输入端口(1‑1)和两个输出端口(1‑2、1‑3),输入输出采用50Ω微带线直接耦合馈电;所述上金属镀层(1)上设有接地金属通孔(5)。
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