[发明专利]一种全溶液法制备平栅极场致发射电子源器件在审
| 申请号： | 201610386889.0 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106057608A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张永爱;孙磊;郭太良;周雄图;林志贤;叶芸;何林昌;靳涛 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01J9/18 | 分类号： | H01J9/18 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种全溶液法制备平栅极场致发射电子源器件，采用全溶液法制备平栅极场致发射电子源的阴极基板和阳极基板，并将所述阳极基板和所述阴极基板对准封接，形成平栅极场致发射电子源器件。阴极基板包括衬底基片、设置于衬底基片上的阴极电极阵列、栅极电极阵列以及电子发射层；阳极基板包括透明导电基片、设置于透明基片上的图形化障壁层、设置于相邻障壁层内的荧光粉层和设置于透明导电基片四周的封框体，且相邻图形化障壁层的中心与所述阴极电极中心一一对应。本发明中的全溶液法制备平栅极场致发射电子源器件，不仅能实现大面积、柔性化、透明化和低成本，还能避免制备过程中杂质引入导致发射不稳定问题，可实现大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溶液 法制 栅极 发射 电子 器件 | ||
【主权项】：
一种全溶液法制备平栅极场致发射电子源器件，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：全溶液法制备平栅极场致发射电子源的阴极基板；步骤S2：全溶液法制备平栅极场致发射电子源的阳极基板；步骤S3：将所述阳极基板和所述阴极基板对准封接，形成平栅极场致发射电子源器件。
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